|
(для групп Т8-38, Е8-02)
1 неделя Формирование изображения в растровом электронном микроскопе (РЭМ). Блок-схема РЭМ. Понятие глубины фокуса в РЭМ.
2 неделя Формирование контраста (топографического, магнитного, атомного номера материала образца) в РЭМ.
3 неделя Использование РЭМ для определения пространственного распределения критической температуры и критического тока в тонких ВТСП пленках.
4 неделя Рентгеновский микроанализ - метод определения элементного состава образца. Блок-схема растрового рентгеновского микроанализатора.
5 неделя Электронная оже-спектроскопия (ЭОС) - метод определения элементного состава. Блок- схема ЭОС.
6 неделя Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС). Блок-схема спектрометра. Определение валентности металлов в ВТСП-соединениях с помощью РФЭС.
7 неделя Вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) - метод элементного анализа. Блок-схема установок ВИМС. Количественный анализ с помощью ВИМС.
8 неделя Послойный анализ с помощью ЭОС и РФЭС.
9 неделя Формирование изображения в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ). Блок-схема ПЭМ.
10-11 недели Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения.
12 неделя Подготовка образцов для просвечивающей электронной микроскопии.
13 неделя Метод резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Форма спектра обратнорассеянных ионов. Аппаратура, необходимая для реализации метода РОР.
14 неделя Определение стехиометрии образцов методом (РОР). Определение толщины пленок методом РОР.
15 неделя Сравнительные характеристики различных методов анализа. Выбор метода в зависимости от поставленной задачи.
ЛИТЕРАТУРА
|
1. |
537 Ж12 |
Жабрев Г.И. Электронные и ионные пучки в методах анализа сверхпроводящих соединений. Учебное пособие. М.: МИФИ, 1989. |
|
2.* |
539 Ф37 |
Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989. |
Дополнительная
|
1* |
537 Р24 |
Растровая электронная микроскопия и рентгеновский
микроанализ. М.: Мир, 1984. |
|
2* |
539. А642 |
Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Д.Бриггса, М.П.Сиха. М.: Мир, 1987. |
|
3* |
539.1 Р99 |
Рязанов М.И., Тилинин И.С. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц. М.: Энергоатомиздат, 1985. |
|
4* |
539.2 С71 |
Спенс Д. Экспериментальная электронная микроскопия
высокого разрешения. М.: Наука, 1986. |
|
5* |
539.2 Ч46 |
Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов. Справочник. Киев: Наукова Думка, 1982. |
*Книга находится в читальном зале.
|
|
