Кафедра №25 “ Физика твердого тела”

 

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

(для групп Т6-07, 07а, 11, 39, 40) 

 

I лекция Определение твердого тела. Аморфное состояние. Кристалли­ческая решетка. Элементы симметрии. Индексы Миллера. Методы получе­ния кристаллов. Метод зонного плавления. Роль дефектов. Типы дефек­тов. Роль дефектов по Френкелю в образовании фотографического изоб­ражения. F-центры. Экситоны.

II лекция Теплоемкость твердых тел. Теплоемкость кристаллической ре­шетки. Модель Дебая. Теплоемкость электронного газа. Зависимость теплоемкости от температуры. Теплопроводность кристаллов. Электри­ческие свойства кристаллов. Противоречия классической модели Дру-де-Лоренца. Квантовомеханическая модель. Волна Де Бройля. Электрон в

потенциальной яме. Квантование энергии. Формула плотности состоянии. Уровень Ферми. Средняя энергия электронов в металле. Вырожденный электронный газ.

III лекция Движение электрона, в периодическом потенциальном поле. Зонная модель. Зоны Бриллюэна. Понятие дырки. Эффективная масса. Ме­тод циклотронного резонанса. Поведение электрона в зоне Бриллюэна. Эффект Гаппа. Вольтамперная характеристика. Реальные зоны Бриллюэна в полупроводнике.

IV лекция Собственный полупроводник. Вывод формулы для концентрации носителей заряда. Уровень Ферми в собственном полупроводнике. При­месный полупроводник. N-тип. Р-тип. Примесная зона. Вырожденное сос­тояние. Электрон в зоне Бриллюэна в электрическом поле. Закон Ома. Подвижность. Зависимость подвижности от температуры. Закон Ома для собственного полупроводника. Неравновесные и равновесные носители заряда. Время жизни. Квазиуровень Ферми.

V лекция Рекомбинация. Линейная рекомбинация. Квадратичная рекомби­нация. Определение времени жизни по затуханию фотопроводимости. Со­отношение Эйнштейна. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение неп­рерывности. Монополярная генерация, диффузия и дрейф. Дебаевский ра­диус экранирования.

VI лекция Генерация, диффузия и дрейф в полупроводнике, близком к собственному. Коэффициент биполярной диффузии. Излучательная реком­бинация. Поверхностная рекомбинация. Безизлучательная рекомбинация. Уровни прилипания. Уровни рекомбинации. Эффект Холла в образце со смешанной проводимостью.

VII лекция. Контакт металл-полупроводник. Термоэлектронная эмиссия, Барьер-Шоттки. Запорный и антизапорный слой. Зависимость от соотно­шения работы выхода и типа проводимости. Вольтамперная характеристи­ка. Р-п переход. Механизм образования барьера. Область объемного за­ряда. Вывод вольтамперной характеристики из уравнения непрерывности: Понятие о гетеропереходах. Полупроводниковый лазер. Фотоэлектронное преобразование на р-n переходе.

VIII лекция  Угол Холла. Эффект Холла в образце со смешанной проводи­мостью. Фотомагнитный эффект. Определение времени жизни по фотомаг­нитному эффекту. Фотомагнитомеханический эффект. О сегнетоэлектриках (понятие).

 

ЛИТЕРАТУРА ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

 

1	539.2 К-45	Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978
2	537 (075) Ш-18	Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1985
3	537 С-50	Смит   Полупроводники. М.: Мир, 1982
4*	539.2 А-98	Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела. М.: Мир, 1979

 

*    Книга находится в читальном зале